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釩摻雜鋯酸鍶基記憶體元件之電阻轉換特性 = = Resistive S...

何威霆

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博客來

釩摻雜鋯酸鍶基記憶體元件之電阻轉換特性 = = Resistive Switching Properties of V-doped SrZrO3 Memory Devices /

Record Type:	Language materials, printed : Monograph/item
Title/Author:	釩摻雜鋯酸鍶基記憶體元件之電阻轉換特性 = / 何威霆撰
Reminder of title:	Resistive Switching Properties of V-doped SrZrO3 Memory Devices /
remainder title:	Resistive Switching Properties of V-doped SrZrO3 Memory Devices
Author:	何威霆
other author:	林群傑
Published:	[花蓮縣壽豐鄉] : [國立東華大學電機工程學系], : 民99[2010],
Description:	11,86面 : 圖,表 ; 30公分
Notes:	指導教授:林群傑
Subject:	非破壞性讀取 -
Online resource:	http://etd.lib.ndhu.edu.tw/ETD-db/ETD-search-c/view_etd?URN=etd-0810110-120202PDF全文

釩摻雜鋯酸鍶基記憶體元件之電阻轉換特性 = = Resistive Switching Properties of V-doped SrZrO3 Memory Devices /
何威霆

釩摻雜鋯酸鍶基記憶體元件之電阻轉換特性 = Resistive Switching Properties of V-doped SrZrO3 Memory Devices / Resistive Switching Properties of V-doped SrZrO3 Memory Devices何威霆撰 - [花蓮縣壽豐鄉] : [國立東華大學電機工程學系], 民99[2010] - 11,86面 : 圖,表 ; 30公分

指導教授:林群傑

碩士論文--國立東華大學電機工程學系,2010

參考書目:面81-86Subjects--Topical Terms:

2933728
非破壞性讀取

釩摻雜鋯酸鍶基記憶體元件之電阻轉換特性 = = Resistive Switching Properties of V-doped SrZrO3 Memory Devices /
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650 7 $a 非揮發性記憶體 $2 csht $3 2926787
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