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矽氧化物對選擇性成長磊晶層成長速率之模擬 = = A simulati...
邱信諺

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  • 矽氧化物對選擇性成長磊晶層成長速率之模擬 = = A simulation of silicon dioxide effects on the growth rate of silicon selective epitaxial growth(SEG) /
  • 紀錄類型: 書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
    正題名/作者: 矽氧化物對選擇性成長磊晶層成長速率之模擬 = / 邱信諺撰
    其他題名: A simulation of silicon dioxide effects on the growth rate of silicon selective epitaxial growth(SEG) /
    其他題名: A simulation of silicon dioxide effects on the growth rate of silicon selective epitaxial growth(SEG)
    作者: 邱信諺
    其他作者: 趙涵捷
    出版者: 民88[1999],
    面頁冊數: viii,57面 : 部份彩圖,表格 ; 30公分
    附註: 內容為英文
    標題: 電機工程 -
館藏地:  出版年:  卷號: 
館藏
  • 1 筆 • 頁數 1 •
 
GE0015568 五樓論文區 (5F Theses & Dissertations) 03.不外借_N 本校碩士論文 T 448.6 7720 一般使用(Normal) 在架 0
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