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以分子束磊晶法成長六方氮化硼於不同基板之特性分析 = = Charact...

余英松

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博客來

以分子束磊晶法成長六方氮化硼於不同基板之特性分析 = = Characterizations of hexagonal boron nitride grown on different substrates by molecular beam epitaxy (MBE） /

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
正題名/作者:	以分子束磊晶法成長六方氮化硼於不同基板之特性分析 =/ 劉皓撰
其他題名:	Characterizations of hexagonal boron nitride grown on different substrates by molecular beam epitaxy (MBE） /
其他題名:	Characterizations of hexagonal boron nitride grown on different substrates by molecular beam epitaxy （MBE）
作者:	劉皓
其他作者:	余英松
出版者:	[花蓮縣] :[國立東華大學材料科學與工程學系], : 2022,
面頁冊數:	[14], 102面 :圖,表 ;30公分
附註:	校內電子全文開放日期 2022/09/06
標題:	二維材料 -
電子資源:	http://134.208.29.108/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi?o=dstdcdr&s=G0610922118.id&searchmode=basic電子全文(依作者授權而定)

以分子束磊晶法成長六方氮化硼於不同基板之特性分析 = = Characterizations of hexagonal boron nitride grown on different substrates by molecular beam epitaxy (MBE） /
劉皓

以分子束磊晶法成長六方氮化硼於不同基板之特性分析 =Characterizations of hexagonal boron nitride grown on different substrates by molecular beam epitaxy (MBE） /Characterizations of hexagonal boron nitride grown on different substrates by molecular beam epitaxy （MBE）劉皓撰 - [花蓮縣] :[國立東華大學材料科學與工程學系], 2022 - [14], 102面 :圖,表 ;30公分

校內電子全文開放日期 2022/09/06

碩士論文--國立東華大學材料科學與工程學系

含參考書目Subjects--Topical Terms:

3267278
二維材料

以分子束磊晶法成長六方氮化硼於不同基板之特性分析 = = Characterizations of hexagonal boron nitride grown on different substrates by molecular beam epitaxy (MBE） /
LDR:01145nam a2200241 4500 001 2292494
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246 3 1 $a Characterizations of hexagonal boron nitride grown on different substrates by molecular beam epitaxy （MBE）
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500 $a 校內電子全文開放日期 2022/09/06
500 $a 校外電子全文開放日期 2022/09/06
500 $a 國圖全文開放日期 2022/09/06
500 $a 畢業學年度: 110
500 $a 指導教授: 余英松
502 $a 碩士論文--國立東華大學材料科學與工程學系
504 $a 含參考書目
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650 # 7 $a 分子束磊晶 $2 csht $3 2589511
650 # 7 $a 二硫化鉬 $2 csht $3 2606142
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700 1 # $a 余英松 $e 指導 $3 3215939
700 1 # $a Yu, Ing-Song $e 指導 $3 3380466
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