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氮化鎵薄膜成長於化學氣相沉積二硫化鉬之製程參數最佳化 = = Optim...

簡育琪

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博客來

氮化鎵薄膜成長於化學氣相沉積二硫化鉬之製程參數最佳化 = = Optimization of gallium nitride thin films grown on chemical-vapor-deposited molybdenum disulfide /

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
正題名/作者:	氮化鎵薄膜成長於化學氣相沉積二硫化鉬之製程參數最佳化 =/ 簡育琪撰
其他題名:	Optimization of gallium nitride thin films grown on chemical-vapor-deposited molybdenum disulfide /
其他題名:	Optimization of Gallium Nitride Thin Films Grown on Chemical-Vapor-Deposited Molybdenum Disulfide
作者:	簡育琪
其他作者:	余英松
出版者:	[花蓮縣] :[國立東華大學材料科學與工程學系], : 2020,
面頁冊數:	[18],104面 :圖,表 ;30公分
附註:	校內電子全文開放日期 2020/07/27
標題:	化學氣相沉積法 -
電子資源:	http://134.208.29.108/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi?o=dstdcdr&s=G0610722015.id&searchmode=basic電子全文(依作者授權而定)

氮化鎵薄膜成長於化學氣相沉積二硫化鉬之製程參數最佳化 = = Optimization of gallium nitride thin films grown on chemical-vapor-deposited molybdenum disulfide /
簡育琪

氮化鎵薄膜成長於化學氣相沉積二硫化鉬之製程參數最佳化 =Optimization of gallium nitride thin films grown on chemical-vapor-deposited molybdenum disulfide /Optimization of Gallium Nitride Thin Films Grown on Chemical-Vapor-Deposited Molybdenum Disulfide簡育琪撰 - [花蓮縣] :[國立東華大學材料科學與工程學系], 2020 - [18],104面 :圖,表 ;30公分

校內電子全文開放日期 2020/07/27

碩士論文--國立東華大學材料科學與工程學系

含參考書目Subjects--Topical Terms:

2538007
化學氣相沉積法

氮化鎵薄膜成長於化學氣相沉積二硫化鉬之製程參數最佳化 = = Optimization of gallium nitride thin films grown on chemical-vapor-deposited molybdenum disulfide /
LDR:01129nam 2200241 450 001 2213007
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246 3 1 $a Optimization of Gallium Nitride Thin Films Grown on Chemical-Vapor-Deposited Molybdenum Disulfide
260 # $a [花蓮縣] : $b [國立東華大學材料科學與工程學系], $c 2020
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500 $a 校內電子全文開放日期 2020/07/27
500 $a 校外電子全文開放日期 2020/07/27
500 $a 國圖全文開放日期 2020/07/27
500 $a 畢業學年度: 108
500 $a 指導教授: 余英松
502 $a 碩士論文--國立東華大學材料科學與工程學系
504 $a 含參考書目
650 # 7 $a 化學氣相沉積法 $2 csht $3 2538007
650 # 7 $a 二硫化鉬 $2 csht $3 2606142
650 # 7 $a 分子束磊晶 $2 csht $3 2589511
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650 # 7 $a plasma-assisted molecular beam epitaxy (PA-MBE) $2 lcstt $3 3394069
700 1 # $a 余英松 $e 指導 $3 3215939
700 1 # $a Yu, Ing-Song $e 指導 $3 3380466
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