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氮化矽鈍化層對砷化鋁鎵/砷化銦鎵高電子遷移率場效電晶體特性影響之研究 =...

林君政

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博客來

氮化矽鈍化層對砷化鋁鎵/砷化銦鎵高電子遷移率場效電晶體特性影響之研究 = = Effect of silicon nitride on AlGaAs/InGaAs high-electron mobility transistors /

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
正題名/作者:	氮化矽鈍化層對砷化鋁鎵/砷化銦鎵高電子遷移率場效電晶體特性影響之研究 = / 林君政著
其他題名:	Effect of silicon nitride on AlGaAs/InGaAs high-electron mobility transistors /
其他題名:	Effect of silicon nitride on AlGaAs/InGaAs high-electron mobility transistors
作者:	林君政
其他作者:	林育賢
出版者:	[花蓮縣壽豐鄉] : [國立東華大學材料科學與工程研究所], : 民100[2011],
面頁冊數:	78面 : 圖,表 ; 30公分
附註:	本論文數位化公開閱覽日期為2014年7月25日

氮化矽鈍化層對砷化鋁鎵/砷化銦鎵高電子遷移率場效電晶體特性影響之研究 = = Effect of silicon nitride on AlGaAs/InGaAs high-electron mobility transistors /
林君政

氮化矽鈍化層對砷化鋁鎵/砷化銦鎵高電子遷移率場效電晶體特性影響之研究 = Effect of silicon nitride on AlGaAs/InGaAs high-electron mobility transistors / Effect of silicon nitride on AlGaAs/InGaAs high-electron mobility transistors林君政著 - 初版 - [花蓮縣壽豐鄉] : [國立東華大學材料科學與工程研究所], 民100[2011] - 78面 : 圖,表 ; 30公分

本論文數位化公開閱覽日期為2014年7月25日

碩士論文-- 國立東華大學材料科學與工程研究所, 2010

參考書目：面29-32

贈書Subjects--Index Terms:

鈍化

氮化矽鈍化層對砷化鋁鎵/砷化銦鎵高電子遷移率場效電晶體特性影響之研究 = = Effect of silicon nitride on AlGaAs/InGaAs high-electron mobility transistors /
LDR:01189nam a2200289 ir4500 001 997004
005 20120214100355.0
008 170420s2011 ch e 000 u chi d
035 $a NDHU10007050
035 $a 997004
040 $a NDHU $b chi $e ccr
100 1 $a 林君政 $e 著 $3 2981542
245 1 0 $a 氮化矽鈍化層對砷化鋁鎵/砷化銦鎵高電子遷移率場效電晶體特性影響之研究 = $b Effect of silicon nitride on AlGaAs/InGaAs high-electron mobility transistors / $c 林君政著
246 1 1 $a Effect of silicon nitride on AlGaAs/InGaAs high-electron mobility transistors
246 1 3 $a 氮化矽鈍化層對砷化鋁鎵砷化銦鎵高電子遷移率場效電晶體特性影響之研究
250 $a 初版
260 $a [花蓮縣壽豐鄉] : $b [國立東華大學材料科學與工程研究所], $c 民100[2011]
300 $a 78面 : $b 圖,表 ; $c 30公分
500 $a 本論文數位化公開閱覽日期為2014年7月25日
500 $a 指導教授：林育賢
502 $a 碩士論文-- 國立東華大學材料科學與工程研究所, 2010
504 $a 參考書目：面29-32
563 $a 贈書
653 0 $a 鈍化
653 0 $a 高電子遷移率
653 0 $a 砷化鋁鎵/砷化銦鎵
653 0 $a passivation
653 0 $a HEMT
653 0 $a AlGaAs/InGaAs
700 1 $a 林育賢 $e 指導教授 $3 2879907