鈍化層對砷化鋁鎵/砷化銦鎵高電子移動率電晶體影響之研究 = = Eff...
黃建彰

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  • 鈍化層對砷化鋁鎵/砷化銦鎵高電子移動率電晶體影響之研究 = = Effects of Passivation on AlGaAs/InGaAs High-Electron Mobility Transistor /
  • 紀錄類型: 書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
    正題名/作者: 鈍化層對砷化鋁鎵/砷化銦鎵高電子移動率電晶體影響之研究 = / 黃建彰撰
    其他題名: Effects of Passivation on AlGaAs/InGaAs High-Electron Mobility Transistor /
    其他題名: Effects of Passivation on AlGaAs/InGaAs High-Electron Mobility Transistor
    作者: 黃建彰
    其他作者: 林育賢
    出版者: [花蓮縣壽豐鄉 : 國立東華大學光電工程研究所], : 民98[2009],
    面頁冊數: [107面] : 圖,表 ; 30公分
    附註: 本論文公開閱覽日期為2012年6月30日
    電子資源: http://etd.lib.ndhu.edu.tw/ETD-db/ETD-search-c/view_etd?URN=etd-0630109-113456PDF全文
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GE0101088 五樓論文區 (5F Theses & Dissertations) 03.不外借_N 本校碩士論文 T 336 4410 2009 一般使用(Normal) 在架 0
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