鈍化層對砷化鋁鎵/砷化銦鎵高電子移動率電晶體影響之研究 = = Eff...
黃建彰

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  • 鈍化層對砷化鋁鎵/砷化銦鎵高電子移動率電晶體影響之研究 = = Effects of Passivation on AlGaAs/InGaAs High-Electron Mobility Transistor /
  • Record Type: Language materials, printed : Monograph/item
    Title/Author: 鈍化層對砷化鋁鎵/砷化銦鎵高電子移動率電晶體影響之研究 = / 黃建彰撰
    Reminder of title: Effects of Passivation on AlGaAs/InGaAs High-Electron Mobility Transistor /
    remainder title: Effects of Passivation on AlGaAs/InGaAs High-Electron Mobility Transistor
    Author: 黃建彰
    other author: 林育賢
    Published: [花蓮縣壽豐鄉 : 國立東華大學光電工程研究所], : 民98[2009],
    Description: [107面] : 圖,表 ; 30公分
    Notes: 本論文公開閱覽日期為2012年6月30日
    Online resource: http://etd.lib.ndhu.edu.tw/ETD-db/ETD-search-c/view_etd?URN=etd-0630109-113456PDF全文
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GE0101088 五樓論文區 (5F Theses & Dissertations) 03.不外借_N 本校碩士論文 T 336 4410 2009 一般使用(Normal) On shelf 0
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