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矽氧化物對選擇性成長磊晶層成長速率之模擬 = = A simulati...

邱信諺

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博客來

矽氧化物對選擇性成長磊晶層成長速率之模擬 = = A simulation of silicon dioxide effects on the growth rate of silicon selective epitaxial growth(SEG) /

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
正題名/作者:	矽氧化物對選擇性成長磊晶層成長速率之模擬 = / 邱信諺撰
其他題名:	A simulation of silicon dioxide effects on the growth rate of silicon selective epitaxial growth(SEG) /
其他題名:	A simulation of silicon dioxide effects on the growth rate of silicon selective epitaxial growth(SEG)
作者:	邱信諺
其他作者:	趙涵捷
出版者:	民88[1999],
面頁冊數:	viii,57面 : 部份彩圖,表格 ; 30公分
附註:	內容為英文
標題:	電機工程 -

矽氧化物對選擇性成長磊晶層成長速率之模擬 = = A simulation of silicon dioxide effects on the growth rate of silicon selective epitaxial growth(SEG) /
邱信諺

矽氧化物對選擇性成長磊晶層成長速率之模擬 = A simulation of silicon dioxide effects on the growth rate of silicon selective epitaxial growth(SEG) / A simulation of silicon dioxide effects on the growth rate of silicon selective epitaxial growth(SEG)邱信諺撰 - 民88[1999] - viii,57面 : 部份彩圖,表格 ; 30公分

內容為英文

碩士論文--國立東華大學電機工程研究所,1999

參考書目: 面 55-57

贈閱Subjects--Topical Terms:

2129240
電機工程

矽氧化物對選擇性成長磊晶層成長速率之模擬 = = A simulation of silicon dioxide effects on the growth rate of silicon selective epitaxial growth(SEG) /
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500 $a 指導教授: 趙涵捷
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