東華大學圖書館 |

語系: 繁體中文

登入

回首頁

切換: 標籤 | MARC模式 | ISBD

矽氧化物對選擇性成長磊晶層成長速率之模擬 = = A simulati...

邱信諺

FindBook

Amazon

博客來

矽氧化物對選擇性成長磊晶層成長速率之模擬 = = A simulation of silicon dioxide effects on the growth rate of silicon selective epitaxial growth(SEG) /

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
正題名/作者:	矽氧化物對選擇性成長磊晶層成長速率之模擬 = / 邱信諺撰
其他題名:	A simulation of silicon dioxide effects on the growth rate of silicon selective epitaxial growth(SEG) /
其他題名:	A simulation of silicon dioxide effects on the growth rate of silicon selective epitaxial growth(SEG)
作者:	邱信諺
其他作者:	趙涵捷
出版者:	民88[1999],
面頁冊數:	viii,57面 : 部份彩圖,表格 ; 30公分
附註:	內容為英文
標題:	電機工程 -

矽氧化物對選擇性成長磊晶層成長速率之模擬 = = A simulation of silicon dioxide effects on the growth rate of silicon selective epitaxial growth(SEG) /
邱信諺

矽氧化物對選擇性成長磊晶層成長速率之模擬 = A simulation of silicon dioxide effects on the growth rate of silicon selective epitaxial growth(SEG) / A simulation of silicon dioxide effects on the growth rate of silicon selective epitaxial growth(SEG)邱信諺撰 - 民88[1999] - viii,57面 : 部份彩圖,表格 ; 30公分

內容為英文

碩士論文--國立東華大學電機工程研究所,1999

參考書目: 面 55-57

贈閱Subjects--Topical Terms:

2129240
電機工程

矽氧化物對選擇性成長磊晶層成長速率之模擬 = = A simulation of silicon dioxide effects on the growth rate of silicon selective epitaxial growth(SEG) /
LDR:00823nam 2200205 i 4500 001 45143
005 20110131153701.0
008 170413s1999 ch b 000 u eng d
035 $a GE0015568
035 $a 45143
040 $a 東華 $b chi
066 $c $1
100 1 $a 邱信諺 $e 撰 $3 2304059
245 1 0 $a 矽氧化物對選擇性成長磊晶層成長速率之模擬 = $b A simulation of silicon dioxide effects on the growth rate of silicon selective epitaxial growth(SEG) / $c 邱信諺撰
246 1 1 $a A simulation of silicon dioxide effects on the growth rate of silicon selective epitaxial growth(SEG)
260 $c 民88[1999]
300 $a viii,57面 : $b 部份彩圖,表格 ; $c 30公分
500 $a 內容為英文
500 $a 指導教授: 趙涵捷
502 $a 碩士論文--國立東華大學電機工程研究所,1999
504 $a 參考書目: 面 55-57
563 $a 贈閱
650 7 $a 電機工程 $2 lcstt $3 2129240
700 1 $a 趙涵捷 $e 指導教授 $3 2259237