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1.2 kV 4H : = 碳化矽超接面雙重擴散金氧半場效電晶體設計最佳...

劉耿銘

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博客來

1.2 kV 4H : = 碳化矽超接面雙重擴散金氧半場效電晶體設計最佳化之模擬 =Simulation of the design optimization of 1.2 kV 4H-SiC superjunction DMOSFET /

Record Type:	Language materials, printed : Monograph/item
Title/Author:	1.2 kV 4H :/ 鄭宇伶撰
Reminder of title:	碳化矽超接面雙重擴散金氧半場效電晶體設計最佳化之模擬 =Simulation of the design optimization of 1.2 kV 4H-SiC superjunction DMOSFET /
remainder title:	Simulation of the design optimization of 1.2 kV 4H-SiC superjunction DMOSFET
Author:	鄭宇伶
other author:	劉耿銘
Published:	花蓮縣 :國立東華大學電機工程學系碩士班, : 2024,
Description:	78面 :圖,表 ;30公分
Notes:	校內電子全文開放日期:2029/09/18
Subject:	半導體元件模擬 -
Online resource:	http://134.208.29.108/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi?o=dstdcdr&s=G0610923001.id&searchmode=basic電子全文(依作者授權而定)

1.2 kV 4H : = 碳化矽超接面雙重擴散金氧半場效電晶體設計最佳化之模擬 =Simulation of the design optimization of 1.2 kV 4H-SiC superjunction DMOSFET /
鄭宇伶

1.2 kV 4H :碳化矽超接面雙重擴散金氧半場效電晶體設計最佳化之模擬 =Simulation of the design optimization of 1.2 kV 4H-SiC superjunction DMOSFET /Simulation of the design optimization of 1.2 kV 4H-SiC superjunction DMOSFET鄭宇伶撰 - 花蓮縣 :國立東華大學電機工程學系碩士班, 2024 - 78面 :圖,表 ;30公分

校內電子全文開放日期:2029/09/18

碩士論文--國立東華大學電機工程學系碩士班, 2024

含參考書目Subjects--Topical Terms:

3582154
半導體元件模擬

1.2 kV 4H : = 碳化矽超接面雙重擴散金氧半場效電晶體設計最佳化之模擬 =Simulation of the design optimization of 1.2 kV 4H-SiC superjunction DMOSFET /
LDR:01099nam a2200241 4500 001 2383296
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500 $a 校內電子全文開放日期:2029/09/18
500 $a 校外電子全文開放日期:不公開
500 $a 國圖全文開放日期:不公開
500 $a 畢業學年度: 112
500 $a 指導教授: 劉耿銘
502 $a 碩士論文--國立東華大學電機工程學系碩士班, 2024
504 $a 含參考書目
650 # 7 $a 半導體元件模擬 $2 lcstt $3 3582154
650 # 7 $a 4H-SiC $2 lcstt $3 3740572
650 # 7 $a DMOSFET $2 lcstt $3 3534114
650 # 7 $a Superjunction $2 lcstt $3 3743151
650 # 7 $a 導通電阻 $2 lcstt $3 3582157
650 # 7 $a 崩潰電壓 $2 csht $3 2682851
650 # 7 $a 品質因數(BFOM) $2 lcstt $3 3743152
650 # 7 $a Semiconductor device simulation $2 lcstt $3 3743153
650 # 7 $a on-resistance $2 lcstt $3 3743154
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650 # 7 $a figure of merit (BFOM) $2 lcstt $3 3743155
700 1 # $a 劉耿銘 $e 指導 $3 3034072
700 1 # $a Liu, Keng-Ming $e 指導 $3 3382032
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