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以電漿輔助式分子束磊晶系統成長六方氮化硼及氮化銦鎵量子點材料 = = G...

Nurzal

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以電漿輔助式分子束磊晶系統成長六方氮化硼及氮化銦鎵量子點材料 = = Growth of hexagonal boron nitride and indium gallium nitride quantum dot materials by plasma-assisted molecular beam epitaxy system /

Record Type:	Language materials, printed : Monograph/item
Title/Author:	以電漿輔助式分子束磊晶系統成長六方氮化硼及氮化銦鎵量子點材料 =/ Nurzal撰
Reminder of title:	Growth of hexagonal boron nitride and indium gallium nitride quantum dot materials by plasma-assisted molecular beam epitaxy system /
remainder title:	Growth of hexagonal boron nitride and indium gallium nitride quantum dot materials by plasma-assisted molecular beam epitaxy system
Author:	Nurzal
other author:	余英松
Published:	花蓮縣 :國立東華大學材料科學與工程學系國際組, : 2023,
Description:	[13], 86面 :圖,表格 ;30公分
Notes:	校內電子全文開放日期:2024/07/18
Subject:	BN -
Online resource:	http://134.208.29.108/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi?o=dstdcdr&s=G0810722204.id&searchmode=basic電子全文(依作者授權而定)

以電漿輔助式分子束磊晶系統成長六方氮化硼及氮化銦鎵量子點材料 = = Growth of hexagonal boron nitride and indium gallium nitride quantum dot materials by plasma-assisted molecular beam epitaxy system /
Nurzal

以電漿輔助式分子束磊晶系統成長六方氮化硼及氮化銦鎵量子點材料 =Growth of hexagonal boron nitride and indium gallium nitride quantum dot materials by plasma-assisted molecular beam epitaxy system /Growth of hexagonal boron nitride and indium gallium nitride quantum dot materials by plasma-assisted molecular beam epitaxy systemNurzal撰 - 花蓮縣 :國立東華大學材料科學與工程學系國際組, 2023 - [13], 86面 :圖,表格 ;30公分

校內電子全文開放日期:2024/07/18

博士論文--國立東華大學材料科學與工程學系國際組, 2023

含參考書目Subjects--Topical Terms:

3650092
BN

以電漿輔助式分子束磊晶系統成長六方氮化硼及氮化銦鎵量子點材料 = = Growth of hexagonal boron nitride and indium gallium nitride quantum dot materials by plasma-assisted molecular beam epitaxy system /
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246 3 1 $a Growth of hexagonal boron nitride and indium gallium nitride quantum dot materials by plasma-assisted molecular beam epitaxy system
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500 $a 校內電子全文開放日期:2024/07/18
500 $a 校外電子全文開放日期:不公開
500 $a 國圖全文開放日期:2024/07/18
500 $a 畢業學年度:111
500 $a 指導教授:余英松
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504 $a 含參考書目
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700 1 # $a Yu, Ing-Song $e 指導 $3 3380466
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