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碳化矽功率金氧半場效電晶體之漂移區效應之模擬 = = Simulatio...

徐丞佑

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博客來

碳化矽功率金氧半場效電晶體之漂移區效應之模擬 = = Simulation of the effects of drift region in silicon carbide power Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect transistors /

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
正題名/作者:	碳化矽功率金氧半場效電晶體之漂移區效應之模擬 =/ 徐丞佑撰
其他題名:	Simulation of the effects of drift region in silicon carbide power Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect transistors /
其他題名:	Simulation of the effects of drift region in silicon carbide power Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect transistors
作者:	徐丞佑
其他作者:	劉耿銘
出版者:	[花蓮縣] :[國立東華大學電機工程學系], : 2022,
面頁冊數:	[18], 94面 :圖,表 ;30公分
附註:	校內電子全文開放日期 2022/07/27
標題:	半導體元件模擬 -
電子資源:	http://134.208.29.108/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi?o=dstdcdr&s=G0610823006.id&searchmode=basic電子全文(依作者授權而定)

碳化矽功率金氧半場效電晶體之漂移區效應之模擬 = = Simulation of the effects of drift region in silicon carbide power Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect transistors /
徐丞佑

碳化矽功率金氧半場效電晶體之漂移區效應之模擬 =Simulation of the effects of drift region in silicon carbide power Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect transistors /Simulation of the effects of drift region in silicon carbide power Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect transistors徐丞佑撰 - [花蓮縣] :[國立東華大學電機工程學系], 2022 - [18], 94面 :圖,表 ;30公分

校內電子全文開放日期 2022/07/27

碩士論文--國立東華大學電機工程學系

含參考書目Subjects--Topical Terms:

3582154
半導體元件模擬

碳化矽功率金氧半場效電晶體之漂移區效應之模擬 = = Simulation of the effects of drift region in silicon carbide power Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect transistors /
LDR:01148nam a2200241 4500 001 2292631
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245 1 0 $a 碳化矽功率金氧半場效電晶體之漂移區效應之模擬 = $b Simulation of the effects of drift region in silicon carbide power Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect transistors / $c 徐丞佑撰
246 3 1 $a Simulation of the effects of drift region in silicon carbide power Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect transistors
260 # $a [花蓮縣] : $b [國立東華大學電機工程學系], $c 2022
300 $a [18], 94面 : $b 圖,表 ; $c 30公分
500 $a 校內電子全文開放日期 2022/07/27
500 $a 校外電子全文開放日期 2022/07/27
500 $a 國圖全文開放日期 2022/07/27
500 $a 畢業學年度: 110
500 $a 指導教授: 劉耿銘
502 $a 碩士論文--國立東華大學電機工程學系
504 $a 含參考書目
650 # 7 $a 半導體元件模擬 $2 lcstt $3 3582154
650 # 7 $a 6H-SiC $2 lcstt $3 3582155
650 # 7 $a UMOSFET $2 lcstt $3 3582156
650 # 7 $a DMOSFET $2 lcstt $3 3534114
650 # 7 $a 導通電阻 $2 lcstt $3 3582157
650 # 7 $a 崩潰電壓 $2 csht $3 2682851
650 # 7 $a 品質因數 $2 csht $3 2529692
650 # 7 $a specific on-resistance $2 lcstt $3 3582158
650 # 7 $a breakdown voltage $2 lcstt $3 3582159
650 # 7 $a figure of merit $2 lcstt $3 3394041
650 # 7 $a JFET region $2 lcstt $3 3582160
700 1 # $a 劉耿銘 $e 指導 $3 3034072
700 1 # $a Liu, Keng-Ming $e 指導 $3 3382032
856 4 0 $u http://134.208.29.108/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi?o=dstdcdr&s=G0610823006.id&searchmode=basic $z 電子全文(依作者授權而定)