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奈米線穿隧場效電晶體之元件結構最佳化 = = Optimization ...

謝宇恩

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博客來

奈米線穿隧場效電晶體之元件結構最佳化 = = Optimization of the device structure of nanowire tunnel field-effect transistors /

Record Type:	Language materials, printed : Monograph/item
Title/Author:	奈米線穿隧場效電晶體之元件結構最佳化 =/ 謝宇恩撰
Reminder of title:	Optimization of the device structure of nanowire tunnel field-effect transistors /
remainder title:	Optimization of the device structure of nanowire tunnel field-effect transistors
Author:	謝宇恩
other author:	劉耿銘
Published:	[花蓮縣] :[國立東華大學電機工程學系], : 2020,
Description:	[11],95面 :圖,表 ;30公分
Notes:	校內電子全文開放日期 2020/11/04
Subject:	半導體模擬 -
Online resource:	http://134.208.29.108/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi?o=dstdcdr&s=G0610723019.id&searchmode=basic電子全文(依作者授權而定)

奈米線穿隧場效電晶體之元件結構最佳化 = = Optimization of the device structure of nanowire tunnel field-effect transistors /
謝宇恩

奈米線穿隧場效電晶體之元件結構最佳化 =Optimization of the device structure of nanowire tunnel field-effect transistors /Optimization of the device structure of nanowire tunnel field-effect transistors謝宇恩撰 - [花蓮縣] :[國立東華大學電機工程學系], 2020 - [11],95面 :圖,表 ;30公分

校內電子全文開放日期 2020/11/04

碩士論文--國立東華大學電機工程學系

含參考書目Subjects--Topical Terms:

3485441
半導體模擬

奈米線穿隧場效電晶體之元件結構最佳化 = = Optimization of the device structure of nanowire tunnel field-effect transistors /
LDR:01031nam a2200229Iib4500 001 2234760
008 211030s2020 ch ak e m z000 0 chi d
020 $q (平裝)
040 $a NDHU $b chi $c NDHU $d NDHU $e ccr
041 0 # $a chi $b eng
066 $c $1
100 1 $a 謝宇恩 $e 撰 $3 3484205
245 1 0 $a 奈米線穿隧場效電晶體之元件結構最佳化 = $b Optimization of the device structure of nanowire tunnel field-effect transistors / $c 謝宇恩撰
246 3 1 $a Optimization of the device structure of nanowire tunnel field-effect transistors
260 # $a [花蓮縣] : $b [國立東華大學電機工程學系], $c 2020
300 $a [11],95面 : $b 圖,表 ; $c 30公分
500 $a 校內電子全文開放日期 2020/11/04
500 $a 校外電子全文開放日期 2020/11/04
500 $a 國圖全文開放日期 2020/11/04
500 $a 畢業學年度: 109
500 $a 指導教授: 劉耿銘
502 $a 碩士論文--國立東華大學電機工程學系
504 $a 含參考書目
650 # 7 $a 半導體模擬 $2 lcstt $3 3485441
650 # 7 $a 穿隧場效電晶體 $2 lcstt $3 3394143
650 # 7 $a 參雜濃度梯度 $2 lcstt $3 3485442
650 # 7 $a 源極與汲極濃度 $2 lcstt $3 3485443
650 # 7 $a 閘極與汲極負交疊 $2 lcstt $3 3485444
650 # 7 $a Semiconductor simulation $2 lcstt $3 3485445
650 # 7 $a Tunneling field-effect transistors $2 lcstt $3 3485446
650 # 7 $a Doping gradient $2 lcstt $3 3485447
650 # 7 $a Source/Drain doping $2 lcstt $3 3485448
650 # 7 $a Gate-Drain underlap $2 lcstt $3 3485449
700 1 # $a 劉耿銘 $e 指導 $3 3034072
700 1 # $a Liu, Keng-Ming $e 指導 $3 3382032
856 4 0 $u http://134.208.29.108/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi?o=dstdcdr&s=G0610723019.id&searchmode=basic $z 電子全文(依作者授權而定)