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奈米線穿隧場效電晶體之閘極正交疊/負交疊與源極濃度梯度之模擬 = = S...

鄭建平

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博客來

奈米線穿隧場效電晶體之閘極正交疊/負交疊與源極濃度梯度之模擬 = = Simulation of gate overlap/underlap and source doping gradient of nanowire Tunnel Field-Effect Transistors /

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
正題名/作者:	奈米線穿隧場效電晶體之閘極正交疊/負交疊與源極濃度梯度之模擬 =/ 鄭建平撰
其他題名:	Simulation of gate overlap/underlap and source doping gradient of nanowire Tunnel Field-Effect Transistors /
其他題名:	奈米線穿隧場效電晶體之閘極正交疊負交疊與源極濃度梯度之模擬
作者:	鄭建平
其他作者:	劉耿銘
出版者:	[花蓮縣壽豐鄉] :[國立東華大學電機工程學系], : 2019,
面頁冊數:	[18],78面 :圖,表 ;30公分
附註:	校內電子全文開放日期 2024/08/03
標題:	源極濃度梯度 -
電子資源:	http://134.208.29.108/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi?o=dstdcdr&s=G0610423013.id&searchmode=basic電子全文(依作者授權而定)

奈米線穿隧場效電晶體之閘極正交疊/負交疊與源極濃度梯度之模擬 = = Simulation of gate overlap/underlap and source doping gradient of nanowire Tunnel Field-Effect Transistors /
鄭建平

奈米線穿隧場效電晶體之閘極正交疊/負交疊與源極濃度梯度之模擬 =Simulation of gate overlap/underlap and source doping gradient of nanowire Tunnel Field-Effect Transistors /奈米線穿隧場效電晶體之閘極正交疊負交疊與源極濃度梯度之模擬鄭建平撰 - [花蓮縣壽豐鄉] :[國立東華大學電機工程學系], 2019 - [18],78面 :圖,表 ;30公分

校內電子全文開放日期 2024/08/03

碩士論文--國立東華大學電機工程學系

含參考書目Subjects--Topical Terms:

3394144
源極濃度梯度

奈米線穿隧場效電晶體之閘極正交疊/負交疊與源極濃度梯度之模擬 = = Simulation of gate overlap/underlap and source doping gradient of nanowire Tunnel Field-Effect Transistors /
LDR:01265nam a2200253 a 4500 001 2182523
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020 $q (平裝)
040 $a NDHU $b chi $c NDHU $d NDHU $e ccr
041 0 # $a chi $b chi $b eng
066 $c $1
084 $a 448.6 $2 ncsclt
100 1 $a 鄭建平 $e 撰 $3 3390921
245 1 0 $a 奈米線穿隧場效電晶體之閘極正交疊/負交疊與源極濃度梯度之模擬 = $b Simulation of gate overlap/underlap and source doping gradient of nanowire Tunnel Field-Effect Transistors / $c 鄭建平撰
246 1 # $a 奈米線穿隧場效電晶體之閘極正交疊負交疊與源極濃度梯度之模擬
246 3 1 $a Simulation of gate overlap/underlap and source doping gradient of nanowire Tunnel Field-Effect Transistors
260 # $a [花蓮縣壽豐鄉] : $b [國立東華大學電機工程學系], $c 2019
300 $a [18],78面 : $b 圖,表 ; $c 30公分
500 $a 校內電子全文開放日期 2024/08/03
500 $a 校外電子全文開放日期 2024/08/03
500 $a 國圖全文開放日期 2024/08/03
500 $a 畢業學年度: 107
500 $a 指導教授: 劉耿銘
502 $a 碩士論文--國立東華大學電機工程學系
504 $a 含參考書目
650 # 7 $a 源極濃度梯度 $2 lcstt $3 3394144
650 # 7 $a 閘極正交疊/負交疊 $2 lcstt $2 lcstt $3 3394145
650 # 7 $a TFET $2 lcstt $3 3394146
650 # 7 $a source doping gradient $2 lcstt $3 3394147
650 # 7 $a gate overlap/underlap $2 lcstt $3 3394148
650 # 7 $a 穿隧場效電晶體 $2 lcstt $3 3394143
700 1 # $a 劉耿銘 $e 指導 $3 3034072
700 1 # $a Liu, Keng-Ming $e 指導 $3 3382032
856 4 0 $u http://134.208.29.108/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi?o=dstdcdr&s=G0610423013.id&searchmode=basic $z 電子全文(依作者授權而定)