氮化鎵薄膜成長於化學氣相沉積二硫化鉬之特性分析 = = Characte...
劉轟山

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  • 氮化鎵薄膜成長於化學氣相沉積二硫化鉬之特性分析 = = Characterization of gallium nitride thin films grown on chemical-vapor-deposited molybdenum disulfide /
  • 紀錄類型: 書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
    正題名/作者: 氮化鎵薄膜成長於化學氣相沉積二硫化鉬之特性分析 =/ 劉轟山撰
    其他題名: Characterization of gallium nitride thin films grown on chemical-vapor-deposited molybdenum disulfide /
    其他題名: Characterization of gallium nitride thin films grown on chemical-vapor-deposited molybdenum disulfide
    作者: 劉轟山
    其他作者: 余英松
    出版者: [花蓮縣壽豐鄉] :[國立東華大學國立東華大學材料科學與工程學系], : 2019,
    面頁冊數: [13],98面 :圖,表 ;30公分
    附註: 校內電子全文開放日期 2020/08/07
    標題: 化學氣象沉積法 -
    電子資源: http://134.208.29.108/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi?o=dstdcdr&s=G0610622009.id&searchmode=basic電子全文(依作者授權而定)
館藏地:  出版年:  卷號: 
館藏
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GE0182810 五樓論文區 (5F Theses & Dissertations) 03.不外借_N 本校碩士論文 T 440.3 7252 2019 一般使用(Normal) 在架 0
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