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以分子束磊晶成長氮化鎵薄膜於二硫化鉬之特性分析= Analysis of...

蔡濟羽

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博客來

以分子束磊晶成長氮化鎵薄膜於二硫化鉬之特性分析= Analysis of GaN Grown on MoS2 Substrate Prepared with Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy /

Record Type:	Language materials, printed : Monograph/item
Title/Author:	以分子束磊晶成長氮化鎵薄膜於二硫化鉬之特性分析= Analysis of GaN Grown on MoS2 Substrate Prepared with Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy // 蔡濟羽撰
remainder title:	Analysis of GaN Grown on MoS2 Substrate Prepared with Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
Author:	蔡濟羽
other author:	余英松
Published:	花蓮縣 :材料科學與工程學系, : 2018,
Description:	111面 :圖,表 ;30公分
Notes:	校內電子全文開放日期 2019/08/07
Subject:	脈衝雷射鍍膜 -
Online resource:	http://134.208.29.108/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi?o=dstdcdr&s=G0610522022.id&searchmode=basic電子全文(依作者授權而定)

以分子束磊晶成長氮化鎵薄膜於二硫化鉬之特性分析= Analysis of GaN Grown on MoS2 Substrate Prepared with Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy /
蔡濟羽

以分子束磊晶成長氮化鎵薄膜於二硫化鉬之特性分析= Analysis of GaN Grown on MoS2 Substrate Prepared with Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy /Analysis of GaN Grown on MoS2 Substrate Prepared with Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy蔡濟羽撰 - 花蓮縣 :材料科學與工程學系, 2018 - 111面 :圖,表 ;30公分

校內電子全文開放日期 2019/08/07

碩士論文--國立東華大學材料科學與工程學系

含參考書目Subjects--Topical Terms:

3322963
脈衝雷射鍍膜

以分子束磊晶成長氮化鎵薄膜於二硫化鉬之特性分析= Analysis of GaN Grown on MoS2 Substrate Prepared with Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy /
LDR:01108nam a2200241 450 001 2140614
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246 3 1 $a Analysis of GaN Grown on MoS2 Substrate Prepared with Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
260 # $a 花蓮縣 : $b 材料科學與工程學系, $c 2018
300 $a 111面 : $b 圖,表 ; $c 30公分
500 $a 校內電子全文開放日期 2019/08/07
500 $a 校外電子全文開放日期 2019/08/07
500 $a 國圖全文開放日期 2019/08/07
500 $a 畢業學年度: 106
500 $a 指導教授: 余英松
502 $a 碩士論文--國立東華大學材料科學與工程學系
504 $a 含參考書目
650 0 0 $a 脈衝雷射鍍膜 $3 3322963
650 0 0 $a 藍寶石 $3 3322964
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