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7奈米鰭式場效電晶體源極 : = 汲極延伸導致之變異性模擬= Simu...

陳恩靖

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博客來

7奈米鰭式場效電晶體源極 : = 汲極延伸導致之變異性模擬= Simulation on the variability caused by the source/drain extensions of 7-nm FinFETs /

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
正題名/作者:	7奈米鰭式場效電晶體源極 :/ 陳恩靖撰
其他題名:	汲極延伸導致之變異性模擬= Simulation on the variability caused by the source/drain extensions of 7-nm FinFETs /
其他題名:	汲極延伸導致之變異性模擬
作者:	陳恩靖
其他作者:	劉耿銘
出版者:	花蓮縣 :電機工程學系, : 2018,
面頁冊數:	80面 :圖,表 ;30公分
附註:	校內電子全文開放日期 2019/03/20
標題:	鰭式場效電晶體 -
電子資源:	http://134.208.29.108/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi?o=dstdcdr&s=G0610423024.id&searchmode=basic電子全文(依作者授權而定)

7奈米鰭式場效電晶體源極 : = 汲極延伸導致之變異性模擬= Simulation on the variability caused by the source/drain extensions of 7-nm FinFETs /
陳恩靖

7奈米鰭式場效電晶體源極 :汲極延伸導致之變異性模擬= Simulation on the variability caused by the source/drain extensions of 7-nm FinFETs /汲極延伸導致之變異性模擬陳恩靖撰 - 花蓮縣 :電機工程學系, 2018 - 80面 :圖,表 ;30公分

校內電子全文開放日期 2019/03/20

碩士論文--國立東華大學電機工程學系

含參考書目Subjects--Topical Terms:

3322104
鰭式場效電晶體

7奈米鰭式場效電晶體源極 : = 汲極延伸導致之變異性模擬= Simulation on the variability caused by the source/drain extensions of 7-nm FinFETs /
LDR:01191nam a2200265 450 001 2140506
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246 1 # $a 汲極延伸導致之變異性模擬
246 1 # $a 汲極延伸導致之變異性模擬
246 3 1 $a Simulation on the variability caused by the source/drain extensions of 7-nm FinFETs
260 # $a 花蓮縣 : $b 電機工程學系, $c 2018
300 $a 80面 : $b 圖,表 ; $c 30公分
500 $a 校內電子全文開放日期 2019/03/20
500 $a 校外電子全文開放日期 2019/03/20
500 $a 國圖全文開放日期 2019/03/20
500 $a 畢業學年度: 106
500 $a 指導教授: 劉耿銘
502 $a 碩士論文--國立東華大學電機工程學系
504 $a 含參考書目
650 0 0 $a 鰭式場效電晶體 $3 3322104
650 0 0 $a 源極/汲極延伸 $3 3322105
650 0 0 $a 隨機摻雜波動 $3 3322106
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700 1 # $a 劉耿銘 $e 指導 $3 3034072
700 1 # $a Liu, Keng-Ming. $e 指導 $3 3322103
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