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二硫化鉬二維材料緩衝層對氮化鎵薄膜磊晶品質之影響 = = Epitaxy...

甘艮元

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博客來

二硫化鉬二維材料緩衝層對氮化鎵薄膜磊晶品質之影響 = = Epitaxy of GaN films on 2-dimensional MoS2/c-sapphire substrate /

Record Type:	Language materials, printed : Monograph/item
Title/Author:	二硫化鉬二維材料緩衝層對氮化鎵薄膜磊晶品質之影響 =/ 甘艮元撰
Reminder of title:	Epitaxy of GaN films on 2-dimensional MoS2/c-sapphire substrate /
remainder title:	Epitaxy of GaN films on 2-dimensional MoS2/c-sapphire substrate
Author:	甘艮元
other author:	余英松
Published:	花蓮縣 :東華大學材料科學與工程學系, : 2017,
Description:	94面 :圖,表 ;30公分
Notes:	校內電子全文開放日期 2019.8.9
Online resource:	http://134.208.29.93/cgi-bin/cdrfb3/gsweb.cgi?o=dstdcdr&i=ssid=%22610522005%22.&電子全文(依作者授權而定)

二硫化鉬二維材料緩衝層對氮化鎵薄膜磊晶品質之影響 = = Epitaxy of GaN films on 2-dimensional MoS2/c-sapphire substrate /
甘艮元

二硫化鉬二維材料緩衝層對氮化鎵薄膜磊晶品質之影響 =Epitaxy of GaN films on 2-dimensional MoS2/c-sapphire substrate /Epitaxy of GaN films on 2-dimensional MoS2/c-sapphire substrate甘艮元撰 - 花蓮縣 :東華大學材料科學與工程學系, 2017 - 94面 :圖,表 ;30公分

校內電子全文開放日期 2019.8.9

碩士Master論文--國立東華大學材料科學與工程學系

含參考書目Subjects--Index Terms:

氮化鎵

二硫化鉬二維材料緩衝層對氮化鎵薄膜磊晶品質之影響 = = Epitaxy of GaN films on 2-dimensional MoS2/c-sapphire substrate /
LDR:01203nam0 2200301 450 001 2087272
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020 $q (平裝)
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246 3 1 $a Epitaxy of GaN films on 2-dimensional MoS2/c-sapphire substrate
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300 $a 94面 : $b 圖,表 ; $c 30公分
500 $a 校內電子全文開放日期 2019.8.9
500 $a 校外電子全文開放日期 2019.8.9
500 $a 國圖全文開放日期 2019.8.9
500 $a 畢業學年度: 105
500 $a 指導教授: 余英松
502 $a 碩士Master論文--國立東華大學材料科學與工程學系
504 $a 含參考書目
653 0 # $a 氮化鎵
653 0 # $a 分子束磊晶
653 0 # $a 二硫化鉬緩衝層
653 0 # $a GaN
653 0 # $a Molecular beam epitaxy
653 0 # $a MoS2 buffer layer
700 1 # $a 余英松 $e 指導 $3 3215939
700 1 # $a Ing-Song Yu $e 指導 $3 3215940
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