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20奈米N型金氧半場效電晶體與多閘極絕緣層上金氧半場效電晶體臨限電壓變...

李政逵

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博客來

20奈米N型金氧半場效電晶體與多閘極絕緣層上金氧半場效電晶體臨限電壓變 = = Simulation of the threshold voltage Variability of 20-nm Bulk MOSFET and Multiple-Gate SOI MOSFET /

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
正題名/作者:	20奈米N型金氧半場效電晶體與多閘極絕緣層上金氧半場效電晶體臨限電壓變 = / 李政逵撰
其他題名:	Simulation of the threshold voltage Variability of 20-nm Bulk MOSFET and Multiple-Gate SOI MOSFET /
其他題名:	Simulation of the threshold voltage Variability of 20-nm Bulk MOSFET and Multiple-Gate SOI MOSFET
作者:	李政逵
其他作者:	劉耿銘
出版者:	[花蓮縣壽豐鄉] : [國立東華大學電機工程學系], : 2012[民101],
面頁冊數:	4,58面 : 圖,表 ; 30公分
附註:	指導教授:劉耿銘
電子資源:	http://134.208.29.93/cgi-bin/cdrfb3/gsweb.cgi?ccd=EeDpZK&o=e2&dbid=I%2B3%3D%3C19%2A%3B%25.&dbpathf=/opt/cdrfb3/db/stdcdrf/&fuid=01&dbna=

20奈米N型金氧半場效電晶體與多閘極絕緣層上金氧半場效電晶體臨限電壓變 = = Simulation of the threshold voltage Variability of 20-nm Bulk MOSFET and Multiple-Gate SOI MOSFET /
李政逵

20奈米N型金氧半場效電晶體與多閘極絕緣層上金氧半場效電晶體臨限電壓變 = Simulation of the threshold voltage Variability of 20-nm Bulk MOSFET and Multiple-Gate SOI MOSFET / Simulation of the threshold voltage Variability of 20-nm Bulk MOSFET and Multiple-Gate SOI MOSFET李政逵撰 - 初版 - [花蓮縣壽豐鄉] : [國立東華大學電機工程學系], 2012[民101] - 4,58面 : 圖,表 ; 30公分

指導教授:劉耿銘

碩士論文-- 國立東華大學電機工程學系電子工程碩士班

參考書目:面39-40

贈閱Subjects--Index Terms:

變異性

20奈米N型金氧半場效電晶體與多閘極絕緣層上金氧半場效電晶體臨限電壓變 = = Simulation of the threshold voltage Variability of 20-nm Bulk MOSFET and Multiple-Gate SOI MOSFET /
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500 $a 指導教授:劉耿銘
502 $a 碩士論文-- 國立東華大學電機工程學系電子工程碩士班
504 $a 參考書目:面39-40
504 $a 含附錄
563 $a 贈閱
653 0 $a 變異性
653 0 $a 隨機摻雜
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653 0 $a random dopant
700 1 $a 劉耿銘 $e 指導 $3 3034072
700 1 $a Lee, Cheng-Kuel $3 3034076
700 1 $a Liu, Keng-Ming $3 3034074
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