李政逵
概要
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書目資訊
20奈米N型金氧半場效電晶體與多閘極 絕緣層上金氧半場效電晶體臨限電壓變 = = Simulation of the threshold voltage Variability of 20-nm Bulk MOSFET and Multiple-Gate SOI MOSFET /
by:
李政逵; 劉耿銘; Lee, Cheng-Kuel; Liu, Keng-Ming
(書目-語言資料,印刷品)